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Samsung recurre a TSMC para parte de la memoria a medida de Nvidia

Al parecer, Nvidia quiere que sus tres proveedores de memoria fabriquen una capa de su memoria de IA personalizada de la misma manera, con el proceso de 3 nanómetros de TSMC.

Por Alexandre S. , 04:00 UTC

Samsung aceptó que su rival TSMC fabrique parte de la próxima memoria de IA a medida de Nvidia, informó Seoul Economic Daily el lunes 19 de octubre de 2026. La memoria es HBM (memoria de alto ancho de banda): pilas de chips de memoria que se colocan junto a un procesador de IA y le pasan datos.

Ilustración retrofuturista: un atardecer a rayas sobre un horizonte de cuadrícula bajo un cielo estrellado, con un motivo de chip en el horizonte.
Ilustración de adtestbench a partir de “[Exclusive] Samsung Electronics to Build Next-Generation HBM With TSMC”,

Nvidia presentó en agosto su propio diseño, NVHBM. Ahora pidió a sus tres proveedores, Micron, SK hynix y Samsung, que fabriquen la capa lógica inferior de cada pila (el base die) en el proceso de 3 nanómetros de TSMC. Las capas de memoria de arriba deben usar el mismo proceso de DRAM de sexta generación. Un proceso común le da a Nvidia piezas equivalentes de los tres proveedores.

Para Samsung es la primera vez. Siempre fabricó las dos capas por su cuenta y, hasta ahora, todo trabajo de HBM con TSMC se quedaba en el empaquetado, según el diario. En la HBM estándar y en los chips a medida de otros clientes, como AMD, Samsung lo sigue haciendo todo.

Nvidia afirma que NVHBM mueve hasta un 30 % más de datos que la memoria HBM4E estándar, según Wccftech. Además consume hasta un 15 % menos de energía. Si TSMC no puede fabricar suficientes base dies, Samsung evalúa si sus propias fábricas podrían cubrir la diferencia.

La memoria es una de las piezas más escasas de un servidor de IA, y esto decide cómo se fabrica el próximo suministro a medida de Nvidia.