Samsung 找 TSMC 代工 Nvidia 客製記憶體的一部分

Nvidia 在 8 月發表了自家設計的 NVHBM。現在它要求三家供應商 Micron、SK hynix 和 Samsung，都以 TSMC 的 3 奈米製程生產每疊記憶體最底層的邏輯層（基底晶粒，base die）。上方的記憶體層必須採用相同的第六代 DRAM 製程。統一製程，Nvidia 就能從三家供應商拿到規格一致的零組件。

這對 Samsung 是頭一遭。它一向兩層都自己做，報導指出，到目前為止，HBM 與 TSMC 的合作都只到封裝為止。標準 HBM 以及其他客戶（例如 AMD）的客製晶片，Samsung 仍然全部自己生產。

Nvidia 表示，NVHBM 的資料傳輸量比標準 HBM4E 記憶體最多高出 30%，Wccftech 報導。耗電量最多也少 15%。如果 TSMC 的基底晶粒產能不夠，Samsung 正在評估自家工廠能否補上缺口。

記憶體是 AI 伺服器裡最缺貨的零組件之一，這項決定關係到 Nvidia 下一批客製記憶體要怎麼生產。