Samsung recorre à TSMC para parte da memória customizada da Nvidia

A Nvidia apresentou em agosto o próprio projeto, a NVHBM. Agora pediu aos três fornecedores, Micron, SK hynix e Samsung, que fabriquem a camada lógica inferior de cada pilha (o base die) no processo de 3 nanômetros da TSMC. As camadas de memória acima precisam usar o mesmo processo de DRAM de sexta geração. Com um processo comum, a Nvidia recebe peças equivalentes dos três fornecedores.

Para a Samsung, é a primeira vez. Ela sempre fez as duas camadas por conta própria e, até agora, qualquer trabalho de HBM com a TSMC ia só até o empacotamento, segundo o jornal. Na HBM padrão e nos chips customizados de outros clientes, como a AMD, a Samsung continua fazendo tudo sozinha.

A Nvidia diz que a NVHBM move até 30% mais dados que a memória HBM4E padrão, segundo o Wccftech. Ela também consome até 15% menos energia. Se a TSMC não conseguir fabricar base dies suficientes, a Samsung avalia se as próprias fábricas poderiam cobrir a diferença.

A memória é uma das peças mais escassas de um servidor de IA, e é isso que define como será produzida a próxima leva de memória customizada da Nvidia.