삼성, Nvidia 맞춤형 메모리 일부를 TSMC에 맡긴다

Nvidia는 8월 자체 설계인 NVHBM을 공개했습니다. 이어 공급사 세 곳(Micron, SK hynix, 삼성)에 각 스택 맨 아래의 로직 레이어(베이스 다이)를 TSMC 3나노미터 공정으로 만들어 달라고 요청했습니다. 그 위에 올라가는 메모리 레이어는 모두 6세대 DRAM 공정을 써야 합니다. 공정이 하나로 통일되면 Nvidia는 세 공급사에서 동일한 부품을 받게 됩니다.

삼성으로서는 처음 있는 일입니다. 삼성은 두 레이어를 모두 직접 만들어 왔고, 지금까지 TSMC와의 HBM 협력은 패키징까지였다고 신문은 전했습니다. 일반 HBM과 AMD 등 다른 고객의 맞춤형 칩은 지금도 삼성이 전 과정을 직접 생산합니다.

Nvidia는 NVHBM이 표준 HBM4E 메모리보다 데이터를 최대 30% 더 많이 옮긴다고 밝혔다고 Wccftech가 보도했습니다. 전력 소비도 최대 15% 적습니다. TSMC가 베이스 다이를 충분히 만들지 못하면, 삼성은 자체 공장으로 그 빈자리를 메울 수 있는지 검토하고 있습니다.

메모리는 AI 서버에서 공급이 가장 빠듯한 부품 가운데 하나이며, 이번 결정에 따라 Nvidia의 다음 맞춤형 메모리 공급 구조가 정해집니다.